中国2025年度国家科学技術賞におけるディスプレイ分野5件のイメージ（ChatGPTで作成）
中国国務院が7月8日に北京で発表した「2025年度国家科学技術賞」において、BOEやVisionoxを含むディスプレイ分野の主要企業が相次いで受賞の栄誉に輝いた。今回の授賞式は計258のプロジェクトと11人の科学技術専門家を対象に行われた。
UBIリサーチが公開された受賞リストを分析した結果、ディスプレイに直接関連する製造装置・バックプレーン・OLED精密加工の課題3件と、LEDおよびMicro LEDへと拡張可能な発光素子基盤技術2件など、計5件がディスプレイ関連分野の主要な受賞課題であることが確認された。中国の技術開発の方向性がパネル生産能力の拡大にとどまらず、中核設備、TFTバックプレーン、超精密加工、化合物半導体基板や素子構造にまで拡大している点が特徴である。
国家科学技術進歩賞 2等賞：高解像度・大面積ディスプレイ製造装置の国産化と産業化 (Shanghai University, Shanghai Micro Electronics Equipment Group(SMEE), Hefei Xinyihua Intelligent Machine, BOE, Tianma, Kunshan Govisionox Optoelectronics, SeeYA Technology)
「新型ディスプレイの高解像度・大面積製造における中核技術および装置と産業化」という課題は装置メーカーとパネルメーカーが共同で中核プロセスと製造装置を開発し、実際の生産ラインに適用した産業化の成果として評価されている。これは、中国のディスプレイ産業における競争の焦点がパネル生産能力から、露光・パターニング・自動化装置の国産化およびプロセス技術の内製化へと移行していることを示している。BOE、Tianma、Visionox系列の企業とSeeYAが共同で参加し、LCDだけでなくOLEDおよび次世代ディスプレイの製造技術へと拡張可能なサプライチェーンの基盤を強化した。
国家科学技術進歩賞 2等賞：酸化物半導体、IT用OLEDおよび高解像度ディスプレイの中核となるバックプレーン (BOE, Chengdu BOE Display Technology, Sun Yat-sen University, Tsinghua University, Shanghai Jiao Tong University, Peking University, 中国科学院微電子研究所)
「スマートディスプレイ用先端酸化物半導体技術の研究および産業化への応用」プロジェクトは大学や国策研究機関の材料・素子研究能力とBOEのプロセス・量産能力を融合させた産学研の連携体制が特徴である。酸化物半導体は高い電子移動度、低いリーク電流、大面積での均一性を基盤としてLCDだけでなく、ノートPC・タブレット・モニター用IT OLEDの中核となるTFTバックプレーン技術として台頭している。特に8.6世代IT OLEDでは大面積基板の均一性、歩留まり、投資効率が重要となるにつれ、酸化物TFTの戦略的価値がさらに高まると分析されている。
国家技術発明賞 2等賞：フェムト秒レーザー、フレキシブルOLEDの精密切断および微細穴加工 (北京工業大学, Shenzhen Han’s Semiconductor Equipment Technology, 中国船舶グループ第707研究所, Visionox系列 Guangzhou Govisionox Technology)
「フェムト秒レーザーによる電子動的制御微細加工技術およびその応用」プロジェクトは10～15秒レベルの超短パルスを用いて加工部の電子挙動とエネルギー伝達を制御することで、材料の損傷を低減する超精密レーザー加工技術である。この技術はフレキシブルOLEDモジュールの精密切断や、カメラ・センサーの開口部用微細穴加工に適用され、超スリムベゼルの実現や加工品質、量産歩留まりの向上に寄与したと評価されている。関連機関は同技術が複数の主要端末製品に量産適用されたと明らかにした。これは、中国のディスプレイ装置の国産化分野がOLEDモジュールの後工程における超精密加工にまで拡大していることを示している。
国家技術発明賞 2等賞：GaN発光素子用基板、Micro LEDの性能と歩留まりを確保 (北京大学, Dongguan Zhongjia Semiconductor, Guangdong Zhongtu Semiconductor, NAURA, Songshan Lake Materials Laboratory)
「GaNベースの発光素子用中核基板技術」プロジェクトの主な成果はGaN基板の結晶品質、波長均一性、発光効率および生産歩留まりを改善し高効率・高信頼性のGaN発光素子の安定した製造基盤を確保したことである。チップサイズが小さくなるほどウェーハ内の欠陥や特性ばらつきの影響が大きくなるので高品質な基板とエピタキシー基盤技術の重要性も高まっている。
国家自然科学賞 1等賞：V-defect3次元PN接合、高効率マイクロLED素子の基盤技術（南昌大学）
「V-defect 3次元PN接合およびその応用」という研究課題は南昌大学が実施した基礎研究である。V-defectを活用した3次元PN接合構造は窒化物系LEDの電流注入および電子・正孔再結合特性を改善できるため、高効率LEDやマイクロLED素子構造へと応用される可能性がある。
中国のディスプレイ技術政策、装置・バックプレーン・精密加工・発光素子へと拡大
UBIリサーチは今回の受賞結果が中国のディスプレイ産業の技術開発の方向性を示す指標であると分析している。BOEは高解像度・大面積製造装置と酸化物半導体分野の2つのプロジェクトにいずれも参加し中国のディスプレイ技術開発と産業化において中心的な役割を果たしていることを確認した。また、SMEE、Xinyihua、NAURAなどの装置企業の参加は中国がパネル生産だけでなく、中核となる装置に至るまでサプライチェーンの自立範囲を広げていることを示している。ディスプレイ分野においても市場支配力を持つ民間企業が産学連携を通じて海外依存度を低減させる国産代替技術プロジェクトに賞が集中しており、中国のディスプレイ・バリューチェーンの自立が、基礎理論・源流技術・量産・設備の全段階において完成段階に入っていることを示唆している。
Changho Noh, Senior Analyst at UBI Research (chnoh@ubiresearch.com)
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