中国のStarkSemiは8インチSi-GaNを基盤とするMicroLED量産体制を構築し、単色マイクロディスプレイから垂直積層フルカラー製品へ技術領域を広げている。CIOE 2026ではウエハー・ボンディング・積層工程を結ぶ製造プラットフォーム戦略を公開した。

執筆：Namdeok Kim 博士・シニアアナリスト
エディター：Choonghoon YI 博士・代表・チーフアナリスト

中国のStarkSemi（星钥半导体）は8インチのシリコン基板GaN（GaN-on-Si）を中心にMicroLED量産プラットフォームを構築し、ARマイクロディスプレイとAIデータセンター向け光インターコネクトへ事業領域を広げている。2026年9月9日に開幕したCIOE 2026では単色MicroLED製品に加え、8インチGaNエピタキシャルウエハー、Chip-on-Wafer（CoW）加工ウエハー、Hybrid Bondingサンプル、垂直積層型単一チップフルカラー化に向けた工程ウエハーを公開した。最終ディスプレイよりもエピタキシャル成長から素子、ボンディング、異種集積までをつなぐ製造体系を強調した点が特徴である。

CIOE 2026に出展したStarkSemiのマイクロLEDブースと8インチSi-GaN製造プラットフォーム

CIOE 2026のStarkSemi展示ブース（写真：UBIリサーチ）

8インチ一貫工程を構築、単色MicroLEDは量産段階へ

StarkSemiは2025年9月に8インチSi-GaNベースのMicroLED一貫工程パイロットラインを構築した。会社発表による計画生産能力は年間約1万2,000枚のウエハーである。GaNエピタキシャル成長からチップ製造とウエハーボンディングまでを自社工程で結ぶIDM構造で、現在は8インチInGaNとAlInGaPのパイロット量産ラインを運営している。8インチおよび12インチ量産ラインの構築も進めている。

CIOE 2026ではこの戦略を実際の工程ウエハーで示した。展示されたのは大口径Si-GaNエピタキシャルウエハー、CoW加工ウエハー、Hybrid Bondingサンプル、R/G/B発光層とCMOSを垂直集積するための中間工程ウエハーである。会社関係者も大口径Si-GaNエピタキシャル成長からCoW、高精度Hybrid Bonding、垂直積層型単一チップフルカラー化までを結ぶ工程体系が今回の展示の中心だと説明した。製品面では単色MicroLEDチップがすでに量産段階に入ったとしている。一方で2色および3色統合製品はまだ量産段階ではない。両サンプルは顧客に供給され製品採用と検証が進められている。

StarkSemiがCIOE 2026で展示した8インチSi-GaNエピウェハ、CoW、ハイブリッドボンディング、垂直積層工程サンプル

StarkSemiが展示した8インチ工程サンプル（写真：UBIリサーチ）

標準的な緑色を超える多波長対応MicroLED

CIOE 2026ではMicroLEDの発光波長を顧客の光学系に合わせて調整する戦略も確認された。StarkSemiは490 nmと580 nmを含む多波長の単色MicroLEDマイクロディスプレイを展示した。一般的な緑色MicroLEDだけを供給するのではなく、自社のSi-GaNエピ工程で発光波長を変え、異なる導波路や光学システムの要求に対応する戦略である。

同社の公式な単色MicroLED製品は0.10インチ、0.12インチ、0.13インチで、解像度は500×380から最大800×600、画素ピッチは2.5～4 μmに対応する。CIOEの展示でも530 nm単色製品と複数の波長選択肢が紹介された。この多波長戦略はAR用MicroLEDで意味を持つ。導波路の回折効率と光損失は波長によって変わるため、光学系と発光波長を同時に最適化することでシステム設計の自由度を高められる。

2色積層を経てR/G/B+CMOS垂直積層へ

フルカラー化に向けた長期的な方向はHybrid Bondingを用いた垂直積層である。CIOEでは緑色と赤色の発光層を垂直集積した2色積層サンプルが公開された。会社説明によると両発光層は個別に駆動でき、出力色を変更できる。この2色構造は単色と完全なRGBフルカラーの中間製品であると同時に、将来のR/G/B+CMOS垂直積層に必要なボンディングと後工程の歩留まりを検証する役割を担う。最終的には数年以内にR/G/B発光層とCMOSを垂直に積層する単一チップフルカラー構造を目指している。

MicroLEDの競争軸を素子からウエハー製造プラットフォームへ拡大

CIOE 2026で確認されたStarkSemiの核心は特定のMicroLED製品の性能ではなく、8インチウエハーを基盤にエピタキシャル成長、素子、Hybrid Bonding、垂直積層を一つの製造体系で結ぶ戦略にある。AR用MicroLEDは画素ピッチが数μmまで縮小すると個別LEDの最高輝度だけでは競争力が決まらない。ウエハー全体の波長と輝度の均一性、微細画素の効率、欠陥密度、CMOSの位置合わせとボンディング歩留まり、RGB積層後の累積歩留まりが量産性を左右する。同社はこれらを従来の小型LED工程ではなく8インチ半導体ウエハー工程と異種集積で解決しようとしている。

今回のCIOEで単色ディスプレイだけでなくエピタキシャルウエハー、CoW、Hybrid Bondingサンプル、RGB積層工程ウエハーを同時に展示したことは会社の方向性を明確に示している。単色MicroLEDはすでに量産段階に入った。今後の競争力を判断する主要指標は2色およびRGB垂直積層の顧客検証と歩留まり、さらに大面積の8インチ工程で安定して繰り返し生産できるかどうかである。

資料：StarkSemi公式資料・CIOE 2026現地取材