중국 2025년도 국가과학기술상 디스플레이 분야 5개 과제 (ChatGPT 제작)
중국 국무원이 7월 8일 베이징에서 발표한 2025년도 국가과학기술상(国家科学技术奖)’에서 BOE(京东方)와 비전옥스(Visionox, 维信诺)를 비롯한 디스플레이 핵심 기업들이 나란히 수상의 영예를 안았다. 이번 시상식은 총 258개 프로젝트와 11명의 과학기술 전문가를 대상으로 진행되었다.
유비리서치가 공개된 수상 목록을 분석한 결과, 디스플레이와 직접 연관된 제조장비·백플레인·OLED 정밀가공 과제 3건과 LED 및 Micro LED로 확장 가능한 발광소자 기반기술 2건 등 총 5건이 디스플레이 관련 분야의 주요 수상 과제로 확인됐다. 중국의 기술개발 방향이 패널 생산능력 확대를 넘어 핵심 장비, TFT 백플레인, 초정밀 가공, 화합물 반도체 기판과 소자구조까지 확대되고 있다는 점이 특징이다.
국가 과학기술진보상 2등상: 고해상도, 대면적 디스플레이 제조장비의 국산화와 산업화 (Shanghai University, Shanghai Micro Electronics Equipment Group(SMEE), Hefei Xinyihua Intelligent Machine, BOE, Tianma, Kunshan Govisionox Optoelectronics, SeeYA Technology)
‘신형 디스플레이 고해상도·대면적 제조 핵심기술 및 장비와 산업화’ 과제는 장비업체와 패널업체가 공동으로 핵심 공정과 제조장비를 개발하고 실제 생산라인에 적용한 산업화 성과로 평가된다. 중국 디스플레이 산업의 경쟁축이 패널 생산능력에서 노광·패터닝·자동화 장비의 국산화와 공정기술 내재화로 이동하고 있음을 보여준다. BOE, Tianma, Visionox 계열 기업과 SeeYA가 함께 참여해 LCD뿐 아니라 OLED 및 차세대 디스플레이 제조기술로 확장할 수 있는 공급망 기반을 강화했다.
국가 과학기술진보상 2등상: 산화물 반도체, IT OLED와 고해상도 디스플레이의 핵심 백플레인 (BOE, Chengdu BOE Display Technology, Sun Yat-sen University, Tsinghua University, Shanghai Jiao Tong University, Peking University, 중국과학원 미전자연구소)
‘스마트 디스플레이용 첨단 산화물 반도체 기술 연구 및 산업화 응용’ 과제는 대학과 국책 연구기관의 재료·소자 연구 역량과 BOE의 공정·양산 역량을 결합한 산학연 구조가 특징이다. 산화물 반도체는 높은 전자이동도, 낮은 누설전류, 대면적 균일성을 바탕으로 LCD뿐 아니라 노트북·태블릿·모니터용 IT OLED의 핵심 TFT 백플레인 기술로 부상하고 있다. 특히 8.6세대 IT OLED에서는 대면적 기판의 균일성, 수율, 투자 효율이 중요해지면서 Oxide TFT의 전략적 가치가 더욱 커질 것으로 분석된다.
국가 기술발명상 2등상: 펨토초 레이저, 플렉시블 OLED 정밀 절단과 미세 홀 가공 (베이징이공대학, Shenzhen Han’s Semiconductor Equipment Technology, 중국선박그룹 제707연구소, 비전옥스 계열 Guangzhou Govisionox Technology)
‘펨토초 레이저 전자 동적 제어 미세 가공 기술 및 응용’ 과제는 10-15초 수준의 초단 펄스를 이용해 가공부의 전자 거동과 에너지 전달을 제어함으로써 소재 손상을 줄이는 초정밀 레이저 가공 기술이다. 이 기술은 플렉시블 OLED 모듈의 정밀 절단과 카메라·센서 개구부용 미세 홀 가공에 적용돼 초슬림 베젤 구현과 가공 품질 및 양산 수율 개선에 기여한 것으로 평가된다. 관련 기관은 해당 기술이 여러 주류 단말 제품에 양산 적용됐다고 밝혔다. 이는 중국의 디스플레이 장비 국산화 영역이 OLED 모듈 후공정의 초정밀 가공까지 확대되고 있음을 보여준다.
국가 기술발명상 2등상: GaN 발광소자용 핵심 기판, Micro LED 성능과 수율 확보 (베이징대학, Dongguan Zhongjia Semiconductor, Guangdong Zhongtu Semiconductor, NAURA, Songshan Lake Materials Laboratory)
‘GaN 기반 발광소자용 핵심 기판 기술’과제는 GaN 기판의 결정 품질, 파장 균일성, 발광효율 및 생산수율을 개선하여 고효율·고신뢰성 GaN 발광소자의 안정적인 제조 기반을 확보한 것이 주요 성과다. 칩 크기가 작아질수록 웨이퍼 내 결함과 특성 편차의 영향이 커지기 때문에 고품질 기판과 에피택시 기반기술의 중요성도 함께 높아진다.
국가자연과학상 1등상: V-defect 3차원 PN 접합, 고효율 Micro LED소자 기반기술 (난창대)
‘V-defect 3차원 PN 접합 및 응용’과제는 난창대학이 수행한 기초 연구다. V-defect를 활용한 3차원 PN 접합 구조는 질화물계 LED의 전류 주입과 전자·정공 재결합 특성을 개선할 수 있어 고효율 LED 및 Micro LED 소자구조로 확장될 가능성이 있다.
중국 디스플레이 기술정책, 장비·백플레인·정밀가공·발광소자로 확장
유비리서치는 이번 수상 결과가 중국 디스플레이 산업의 기술개발 방향을 보여주는 지표라고 분석한다. BOE는 고해상도·대면적 제조장비와 산화물 반도체 분야의 두 프로젝트에 모두 참여해 중국 디스플레이 기술개발과 산업화의 중심 역할을 확인했다. 또한 SMEE, Xinyihua, NAURA 등 장비기업의 참여는 중국이 패널 생산뿐 아니라 핵심 장비까지 공급망 자립 범위를 넓히고 있음을 보여준다. 디스플레이 분야에서도 시장 지배력을 가진 민간 기업이 산학협력을 통해 해외 의존도를 낮추는 국산 대체 기술 프로젝트에 포상이 집중되었으며, 중국 디스플레이 밸류체인의 자립이 기초 이론-원천기술-양산-장비의 전 구간에서 완성 단계에 접어들고 있음을 시사한다.
유비리서치 노창호 애널리스트(chnoh@ubiresearch.com)
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